BSP135 E6906

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-SOT223-4
數(shù)量：: 7902
說(shuō)明：: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223

一、本商品被瀏覽0次.

BSP135 E6906 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：耗盡模式
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：45 歐姆 @ 120mA, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：120mA
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：1V @ 94µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：4.9nC @ 5V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：146pF @ 25V
功率 - 最大：1.8W
安裝類型：表面貼裝

以上是BSP135 E6906的詳細(xì)信息，包括BSP135 E6906廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：