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中文參數如下:
FET 型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點:邏輯電平門
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:800 毫歐 @ 1.17A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):60V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:1.17A
Id 時的 Vgs(th)(最大):2V @ 160µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:7.8nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :160pF @ 25V
功率 - 最大:1.8W
安裝類型:表面貼裝
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