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BSS119E6327

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
數(shù)量：: 351
說(shuō)明：: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

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BSS119E6327 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：邏輯電平門
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：6 歐姆 @ 170mA, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：170mA
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：2.3V @ 50µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：2.5nC @ 10V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：78pF @ 25V
功率 - 最大：360mW
安裝類型：表面貼裝

以上是BSS119E6327的詳細(xì)信息，包括BSS119E6327廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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