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中文參數如下:
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:耗盡模式
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:3.5 歐姆 @ 160mA, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):60V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:230mA
Id 時的 Vgs(th)(最大):2.4V @ 26µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:2.9nC @ 5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :44pF @ 25V
功率 - 最大:360mW
安裝類型:表面貼裝
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