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BSZ086P03NS3E G

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 TSDSON-8
數量：
 1971  
說明：
 MOSFET P-KANAL
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BSZ086P03NS3E G PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：BSZ086P03NS3EGATMA1 BSZ086P03NS3EGXT SP000473016
典型關閉延遲時間：35 ns
工廠包裝數量：5000
上升時間：46 ns
功率耗散：69 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：8 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TSDSON-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0086 Ohms
漏極連續電流：13.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSZ086P03NS3E G的詳細信息，包括BSZ086P03NS3E G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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