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BUK761R6-40E,118

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數量：: 5067
說明：: MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET

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BUK761R6-40E,118-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

BUK761R6-40E,118 PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：800
功率耗散：357 W
包裝形式：Reel
封裝形式：D2PAK
安裝風格：SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS（導通）：1.6 mOhms
漏極連續電流：120 A
閘/源擊穿電壓：4 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：NXP

以上是BUK761R6-40E,118的詳細信息，包括BUK761R6-40E,118廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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