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中文參數如下：
工廠包裝數量：100
最小工作溫度：- 65 C
最大功率耗散：250000 mW
封裝形式：TO-3
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
最大直流電集電極電流：50 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：7 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：200 V
集電極—基極電壓 VCBO：300 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：STMicroelectronics
以上是BUV61的詳細信息，包括BUV61廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
