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BYM300B170DN2HOSA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: 模塊
數量：: 27
說明：: IGBT MOD 650V 40A 20MW

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BYM300B170DN2HOSA1 PDF參數資料

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中文參數如下：
封裝封裝封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
NTC 熱敏電阻：是
輸入：標準
不同?Vce 時輸入電容 (Cies)：2.8 nF @ 25 V
電流 - 集電極截止（最大值）：40 μA
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：1.55V @ 15V，25A
功率 - 最大值：20 mW
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：40 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
配置：2 個獨立式
IGBT 類型：溝槽型場截止
產品狀態：停產
包裝：-
系列：托盤
品牌：Infineon Technologies

以上是BYM300B170DN2HOSA1的詳細信息，包括BYM300B170DN2HOSA1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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