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CDBDSC10650-G

廠家:
  Comchip Technology
封裝:
 DPAK
數量:
 1426  
說明:
 DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
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CDBDSC10650-G-DPAK圖片

CDBDSC10650-G PDF參數資料

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中文參數如下:
封裝工作溫度 - 結封裝:DPAK
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
安裝類型:表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容:690pF @ 0V,1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:100 μA @ 650 V
反向恢復時間 (trr):0 ns
速度:無恢復時間 > 500mA(Io)
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):1.7 V @ 10 A
電流 - 平均整流 (Io):10A
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):650 V
技術:SiC(Silicon Carbide)Schottky
產品狀態:在售
包裝:-
系列:管件
品牌:Comchip Technology

以上是CDBDSC10650-G的詳細信息,包括CDBDSC10650-G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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