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CDBJSC5650-G

廠家：
  Comchip Technology
封裝：
 TO-220F
數量：
 1839  
說明：
 DIODE SIL CARBIDE 650V 5A TO220F
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CDBJSC5650-G-TO-220F圖片

CDBJSC5650-G PDF參數資料

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中文參數如下：
封裝工作溫度 - 結封裝：TO-220F
封裝/外殼：TO-220-2 整包
安裝類型：通孔
不同?Vr、F 時電容：430pF @ 0V，1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：100 μA @ 650 V
反向恢復時間 (trr)：0 ns
速度：無恢復時間 > 500mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 5 A
電流 - 平均整流 (Io)：5A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V
技術：SiC（Silicon Carbide）Schottky
產品狀態：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Comchip Technology

以上是CDBJSC5650-G的詳細信息，包括CDBJSC5650-G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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