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中文參數如下:
功率耗散:350 mW
柵極電荷 Qg:1.58 nC
包裝形式:Reel
封裝形式:SOT-563
安裝風格:SMD/SMT
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.35 Ohms
漏極連續電流:540 mA, 430 mA
閘/源擊穿電壓:8 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Central Semiconductor
以上是CMLDM3757的詳細信息,包括CMLDM3757廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!