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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:32 ns
商標名:NexFET
工廠包裝數量:2500
上升時間:16 ns
功率耗散:3.1 W
柵極電荷 Qg:18 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :159 S
下降時間:12 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SON-8
安裝風格:SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS(導通):1.7 mOhms
漏極連續電流:100 A
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Texas Instruments
以上是CSD16325Q5C的詳細信息,包括CSD16325Q5C廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!