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中文參數如下:
商標名:NexFET
工廠包裝數量:2500
上升時間:9.9 ns
功率耗散:2.8 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:3.6 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SON-8 3 x 3
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):4.9 mOhms
漏極連續電流:20 A
閘/源擊穿電壓:- 8 V, + 10 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Texas Instruments
以上是CSD17309Q3的詳細信息,包括CSD17309Q3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!