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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:11 ns
商標名:NexFET
上升時間:7.4 ns
功率耗散:2.6 W
柵極電荷 Qg:9 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :106 S
下降時間:3.4 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SON 3.3 x 3.3
安裝風格:SMD/SMT
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):6.5 mOhms
漏極連續電流:60 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Texas Instruments
以上是CSD17552Q3A的詳細信息,包括CSD17552Q3A廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!