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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:33 ns
商標名:NexFET
工廠包裝數量:50
上升時間:7.3 ns
功率耗散:216 W
柵極電荷 Qg:52 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :149 S
下降時間:9.3 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220
安裝風格:Through Hole
電阻汲極/源極 RDS(導通):3.3 mOhms
漏極連續電流:100 A
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Texas Instruments
以上是CSD18502KCS的詳細信息,包括CSD18502KCS廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!