CSD25304W1015T

廠家：: Texas Instruments
封裝：: 6-DSBGA（1x1.5）
數(shù)量：: 4869
說(shuō)明：: MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：750mW（Ta）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：595 pF @ 10 V
Vgs（最大值）：±8V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：4.4 nC @ 4.5 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：1.15V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：32.5 毫歐 @ 1.5A，4.5V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：3A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：20 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：P 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：NexFET?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Texas Instruments

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