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CSD75301W1015

廠家：: Texas Instruments
封裝：: 6-DSBGA（1x1.5）
數(shù)量：: 6093
說明：: MOSFET P-Ch-Dual Common Source Pwr MOSFETs

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CSD75301W1015 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：38 ns
商標名：NexFET
工廠包裝數(shù)量：3000
功率耗散：800 mW
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：DSBGA-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Common Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：100 mOhms at 4.5 V
漏極連續(xù)電流：1.2 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Texas Instruments

以上是CSD75301W1015的詳細信息，包括CSD75301W1015廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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