CY7C1314SV18-200BZC

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: 165-FBGA（13x15）
數(shù)量：: 171
說明：: IC SRAM 512KX36 QDRII 165-FBGA

一、本商品被瀏覽0次.

CY7C1314SV18-200BZC PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
封裝：165-FBGA（13x15）
封裝/外殼：165-LBGA
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：0°C ~ 70°C（TA）
電壓 - 供電：1.7V ~ 1.9V
訪問時間：-
寫周期時間 - 字，頁：-
時鐘頻率：200 MHz
存儲器接口：并聯(lián)
存儲器組織：512K x 36
存儲容量：18Mb
技術(shù)：SRAM - 同步，QDR II
存儲器格式：SRAM
存儲器類型：易失
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：袋
品牌：Infineon Technologies

以上是CY7C1314SV18-200BZC的詳細(xì)信息，包括CY7C1314SV18-200BZC廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他內(nèi)存產(chǎn)品：

NVRAM 閃存動態(tài)隨機(jī)存取存儲器可擦除可編程ROM F-RAM

電可擦除可編程只讀存儲器最新產(chǎn)品：

IS43TR16640BL-125KBL

IS43TR85120A-093NBL

IS46TR16512AL-15HBLA2

IS46TR16640B-107MBLA1

IS43TR16512AL-107MBL

IS46TR16640CL-125JBLA25

IS43TR16128D-093NBLI

IS46TR81280B-125JBLA25-TR