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CYT5551HCD

廠家:
  Central Semiconductor
封裝:
 SOT-228
數量:
 5959  
說明:
 兩極晶體管 - BJT Small Signal Dual NPN Hi Volt
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CYT5551HCD-SOT-228圖片

CYT5551HCD PDF參數資料

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中文參數如下:

包裝形式:Reel
最小工作溫度:- 65 C
最大功率耗散:2 W
直流電流增益 hFE 最大值:250
集電極連續(xù)電流:1 A
封裝形式:SOT-228
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:30
增益帶寬產品fT:100 MHz
集電極—射極飽和電壓:160 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:6 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:160 V
集電極—基極電壓 VCBO:180 V
晶體管極性:NPN
配置:Dual
RoHS:是
制造商:Central Semiconductor

以上是CYT5551HCD的詳細信息,包括CYT5551HCD廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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