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D2601N85TXPSA1

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 -
數(shù)量:
 2745  
說明:
 DIODE GEN PURP 8.5KV 3040A
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D2601N85TXPSA1--圖片

D2601N85TXPSA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝:-
封裝/外殼:DO-200AE
安裝類型:底座安裝
不同?Vr、F 時(shí)電容:-
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏:100 mA @ 8500 V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):-
速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io)
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf):-
電流 - 平均整流 (Io):3040A
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):8500 V
技術(shù):標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:托盤
品牌:Infineon Technologies

以上是D2601N85TXPSA1的詳細(xì)信息,包括D2601N85TXPSA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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