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D291S45TXPSA1

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 -
數量：
 3726  
說明：
 DIODE GEN PURP 4.5KV 445A
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D291S45TXPSA1--圖片

D291S45TXPSA1 PDF參數資料

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中文參數如下：
封裝工作溫度 - 結封裝：-
封裝/外殼：DO-200AB，B-PUK
安裝類型：底座安裝
不同?Vr、F 時電容：-
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：50 mA @ 4500 V
反向恢復時間 (trr)：-
速度：標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：4.15 V @ 1200 A
電流 - 平均整流 (Io)：445A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：4500 V
技術：標準
產品狀態：停產
包裝：-
系列：托盤
品牌：Infineon Technologies

以上是D291S45TXPSA1的詳細信息，包括D291S45TXPSA1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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