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D6001N50TXPSA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: -
數(shù)量：: 2826
說明：: DIODE GEN PURP 5KV 8010A

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D6001N50TXPSA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：-
封裝/外殼：DO-200AE
安裝類型：底座安裝
不同?Vr、F 時電容：-
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：400 mA @ 5000 V
反向恢復(fù)時間 (trr)：-
速度：標準恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.3 V @ 6000 A
電流 - 平均整流 (Io)：8010A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：5000 V
技術(shù)：標準
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：托盤
品牌：Infineon Technologies

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