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DD800S17H4B2BOSA2

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: AG-IHMB130-1
數(shù)量：: 468
說明：: DIODE MODUL GP 1700V AGIHMB130-1

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DD800S17H4B2BOSA2 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝：AG-IHMB130-1
封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度 - 結(jié)：-40°C ~ 150°C
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：900 A @ 900 V
反向恢復(fù)時間 (trr)：-
速度：標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：2.1 V @ 800 A
電流 - 平均整流 (Io)（每二極管）：-
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1700 V
技術(shù)：標(biāo)準(zhǔn)
二極管配置：2 個獨立式
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：散裝,托盤
品牌：Infineon Technologies

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