DF11MR12W1M1B11BOMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: AG-EASY1BM-2
數(shù)量：: 6093
說明：: MOSFET MODULE 1200V 50A

一、本商品被瀏覽0次.

DF11MR12W1M1B11BOMA1 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
：
封裝封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：20mW
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：3950pF @ 800V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：125nC @ 5V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 20mA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：23 毫歐 @ 50A，15V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：50A
漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）
FET 功能：-
配置：2 N-通道（雙）
技術(shù)：碳化硅（SiC）
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：托盤
品牌：Infineon Technologies

以上是DF11MR12W1M1B11BOMA1的詳細(xì)信息，包括DF11MR12W1M1B11BOMA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：