DF200R12W1H3FB11BOMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: 模塊
數量：: 6363
說明：: IGBT MOD 1200V 30A 20MW

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DF200R12W1H3FB11BOMA1 PDF參數資料

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中文參數如下：
封裝封裝封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-40°C ~ 150°C
NTC 熱敏電阻：是
輸入：標準
不同?Vce 時輸入電容 (Cies)：6.15 nF @ 25 V
電流 - 集電極截止（最大值）：1 mA
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：1.45V @ 15V，30A
功率 - 最大值：20 mW
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：30 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V
配置：三相反相器
IGBT 類型：溝槽型場截止
產品狀態：Digi-Key 停止提供
包裝：EasyPACK?
系列：托盤
品牌：Infineon Technologies

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