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中文參數如下:
:
封裝封裝/外殼:模塊
安裝類型:底座安裝
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
功率 - 最大值:20mW
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):2000pF @ 800V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):620nC @ 15V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5.5V @ 10mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):45 毫歐 @ 25A,15V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):25A
漏源電壓(Vdss):1200V(1.2kV)
FET 功能:-
配置:2 N-通道(雙)
技術:碳化硅(SiC)
產品狀態:停產
包裝:-
系列:托盤
品牌:Infineon Technologies
以上是DF23MR12W1M1B11BOMA1的詳細信息,包括DF23MR12W1M1B11BOMA1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!