DF650R17IE4BOSA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: 模塊
數量：: 6210
說明：: IGBT MOD 1700V 930A 4150W

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DF650R17IE4BOSA1 PDF參數資料

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中文參數如下：
封裝封裝封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-40°C ~ 150°C
NTC 熱敏電阻：是
輸入：標準
不同?Vce 時輸入電容 (Cies)：54 nF @ 25 V
電流 - 集電極截止（最大值）：5 mA
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：2.45V @ 15V，650A
功率 - 最大值：4150 W
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：930 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1700 V
配置：單路
IGBT 類型：-
產品狀態：不適用于新設計
包裝：PrimePACK?2
系列：托盤
品牌：Infineon Technologies

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