DG2617DN-T1-E4

廠(chǎng)家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 10-DFN（3x3）
數(shù)量：: 7128
說(shuō)明：: 模擬開(kāi)關(guān) IC Low Volt Dual SPDT w/Charge Pump

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DG2617DN-T1-E4 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：DG2617DN-E4
電源電壓-最小：1.5 V
電源電壓-最大：3.6 V
電源電流（最大值）：0.3 mA
電源電流：0.104 mA
工廠(chǎng)包裝數(shù)量：2500
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 40 C
最大功率耗散：1191 mW
封裝形式：DO-204
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 85 C
工作電源電壓：3 V
關(guān)閉時(shí)間（最大值）：39 ns
開(kāi)啟時(shí)間（最大值）：69 ns
開(kāi)啟電阻（最大值）：7 Ohms
開(kāi)關(guān)配置：SPDT
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：模擬開(kāi)關(guān) IC
制造商：Vishay

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