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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:26.7 nS, 28.4 nS
上升時間:7.4 nS, 8.1 nS
功率耗散:530 mW
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:736.6 pC, 622.4 pC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :1.4 S, - 0.9 S
下降時間:12.3 ns, 20.7 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOT-563-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.3 Ohms at 4.5 V, 0.5 Ohms at - 4.5 V
漏極連續電流:870 mA, - 640 mA
閘/源擊穿電壓:+/- 6 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V, - 20 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Diodes Inc.
以上是DMG1016V-7的詳細信息,包括DMG1016V-7廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!