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DMG4800LSD-13

廠家:
  Diodes Inc.
封裝:
 8-SO
數量:
 32017  
說明:
 MOSFET Dual N-Ch 30V VDSS 25 Vgss 42A IDM
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DMG4800LSD-13-8-SO圖片

DMG4800LSD-13 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:26.33 ns
上升時間:4.5 ns
功率耗散:1.17 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:8.55 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SO-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):16 mOhms at 10 V, 22 mOhms at 4.5 V
漏極連續(xù)電流:7.5 A, 6.4 A
閘/源擊穿電壓:+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Diodes Inc.

以上是DMG4800LSD-13的詳細信息,包括DMG4800LSD-13廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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