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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:13 ns
上升時間:5 ns
功率耗散:0.84 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:9 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :4 S
下降時間:3 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TSOT26-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):60 mOhms, 95 mOhms
漏極連續電流:3.4 A, - 2.8 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:+/- 30 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Diodes Inc.
以上是DMG6602SVT-7的詳細信息,包括DMG6602SVT-7廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!