
點擊下載PDF參數資料
中文參數如下:
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:邏輯電平門
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:9.3 毫歐 @ 11.6A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:11A
Id 時的 Vgs(th)(最大):2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:27.6nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :1289pF @ 15V
功率 - 最大:1.68W
安裝類型:表面貼裝
以上是DMG8880LK3-13的詳細信息,包括DMG8880LK3-13廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!