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DMG9N65CT

廠家：: Diodes Inc.
封裝：: TO-220-3
數量：: 5805
說明：: MOSFET N-Ch Enh Mode FET 650V 10V VGS 9.0A

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DMG9N65CT PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：122 ns
上升時間：29 ns
功率耗散：3.15 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：39 nC
下降時間：28 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220AB
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：1.3 Ohms
漏極連續電流：9 A
汲極/源極擊穿電壓：650 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Diodes Inc.

以上是DMG9N65CT的詳細信息，包括DMG9N65CT廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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