DMT10H9M9SCT

廠家：: Diodes Incorporated
封裝：: TO-220-3
數量：: 1710
說明：: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T

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DMT10H9M9SCT PDF參數資料

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中文參數如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：2.3W（Ta），156W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2085 pF @ 50 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：30 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：8.8 毫歐 @ 20A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：99A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：100 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Diodes Incorporated

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