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DMTH4M70SPGW-13

廠家：
  Diodes Incorporated
封裝：
 PowerDI8080-5
數量：
 2367  
說明：
 MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
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DMTH4M70SPGW-13 PDF參數資料

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中文參數如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：5.6W（Ta），428W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：10053 pF @ 20 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：117.1 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：0.7 毫歐 @ 25A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：460A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：40 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Diodes Incorporated

以上是DMTH4M70SPGW-13的詳細信息，包括DMTH4M70SPGW-13廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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