EMF20T2R

廠家：: ROHM Semiconductor
封裝：: EMT6
數(shù)量：: 6624
說(shuō)明：: 兩極晶體管 - BJT DUAL NPN/DTR

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EMF20T2R PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：8000
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：150 mW
直流電流增益 hFE 最大值：390
封裝形式：EMT-6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：20, 180
增益帶寬產(chǎn)品fT：180 MHz
集電極—射極飽和電壓：0.4 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：7 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：50 V
集電極—基極電壓 VCBO：60 V
晶體管極性：NPN
配置：Dual
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：兩極晶體管 - BJT
制造商：ROHM Semiconductor

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