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中文參數(shù)如下:
FET 型:GaNFET N 通道,氮化鎵
FET 特點(diǎn):邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:4 毫歐 @ 33A, 5V
漏極至源極電壓(Vdss):40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:33A
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 9mA
閘電荷(Qg) @ Vgs:10.5nC @ 5V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) :1100pF @ 20V
功率 - 最大:-
安裝類型:表面貼裝
以上是EPC2015的詳細(xì)信息,包括EPC2015廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!