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中文參數(shù)如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：700mW（Ta）
FET 功能：肖特基二極管（體）
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：150 pF @ 10 V
Vgs（最大值）：±12V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：2.1 nC @ 4.5 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：390 毫歐 @ 1A，4.5V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：1A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：20 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：P 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Rohm Semiconductor
以上是ES6U42T2R的詳細信息，包括ES6U42T2R廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!
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