三浦惠理子jux240久久 - 他在车里撞了我八次主角是谁

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > IGBT 模塊 > F3L30R06W1E3_B11

F3L30R06W1E3_B11

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: Module
數(shù)量：: 2513
說明：: IGBT 模塊 IGBT MODULES 600V 30A

一、本商品被瀏覽0次.

F3L30R06W1E3_B11 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 40 C
柵極/發(fā)射極最大電壓：20 V
封裝形式：Module
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：150 W
柵極—射極漏泄電流：400 nA
在25 C的連續(xù)集電極電流：45 A
集電極—射極飽和電壓：1.55 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V
配置：3-Phase
產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules
制造商：Infineon

以上是F3L30R06W1E3_B11的詳細信息，包括F3L30R06W1E3_B11廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

最新產(chǎn)品：