三浦惠理子jux240久久 - 他在车里撞了我八次主角是谁

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > F4-50R07W2H3_B51

F4-50R07W2H3_B51

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: 模塊
數量：: 4275
說明：: IGBT MODULE VCES 650V 50A

一、本商品被瀏覽0次.

F4-50R07W2H3_B51 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
封裝封裝封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
NTC 熱敏電阻：是
輸入：標準
不同?Vce 時輸入電容 (Cies)：2950 pF @ 25 V
電流 - 集電極截止（最大值）：1 mA
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：1.7V @ 15V，25A
功率 - 最大值：520 W
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：65 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
配置：全橋反相器
IGBT 類型：-
產品狀態：在售
包裝：EasyBRIDGE
系列：散裝
品牌：Infineon Technologies

以上是F4-50R07W2H3_B51的詳細信息，包括F4-50R07W2H3_B51廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產品：