F415MR12W2M1B76BOMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: AG-EASY1B-2
數量：: 4032
說明：: LOW POWER EASY AG-EASY2B-2

一、本商品被瀏覽0次.

F415MR12W2M1B76BOMA1 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
：
封裝封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：5520pF @ 800V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：186nC @ 15V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.55V @ 30mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：15 毫歐 @ 75A，15V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：75A（Tj）
漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）
FET 功能：-
配置：4 N 溝道（半橋）
技術：碳化硅（SiC）
產品狀態：停產
包裝：EasyPACK? CoolSiC?
系列：托盤
品牌：Infineon Technologies

以上是F415MR12W2M1B76BOMA1的詳細信息，包括F415MR12W2M1B76BOMA1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：