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F475R07W1H3B11ABOMA1

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 模塊
數量:
 3492  
說明:
 IGBT MODULES
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F475R07W1H3B11ABOMA1-模塊圖片

F475R07W1H3B11ABOMA1 PDF參數資料

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中文參數如下:
封裝封裝封裝/外殼:模塊
安裝類型:底座安裝
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
NTC 熱敏電阻:是
輸入:標準
不同?Vce 時輸入電容 (Cies):4700 pF @ 25 V
電流 - 集電極截止(最大值):50 μA
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):1.6V @ 15V,37.5A
功率 - 最大值:275 W
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):37.5 A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V
配置:全橋反相器
IGBT 類型:溝槽型場截止
產品狀態(tài):停產
包裝:EasyPACK?
系列:托盤
品牌:Infineon Technologies

以上是F475R07W1H3B11ABOMA1的詳細信息,包括F475R07W1H3B11ABOMA1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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