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FCP190N60E

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-220-3
數量：: 3363
說明：: MOSFET 600V N-CHAN MOSFET

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FCP190N60E PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：101 ns
工廠包裝數量：400
上升時間：14 ns
功率耗散：208 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：63 nC
下降時間：15 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS（導通）：190 mOhms
漏極連續電流：20.6 A
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FCP190N60E的詳細信息，包括FCP190N60E廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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