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FDA15N65

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-3P-3,SC-65-3
數(shù)量:
 2232  
說明:
 MOSFET 650V N-CH MOSFET
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FDA15N65-TO-3P-3,SC-65-3圖片

FDA15N65 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關閉延遲時間:105 ns
工廠包裝數(shù)量:30
上升時間:125 ns
功率耗散:260 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :19.2 S
下降時間:65 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-3PN
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.44 Ohms
漏極連續(xù)電流:16 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:650 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDA15N65的詳細信息,包括FDA15N65廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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