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FDB045AN08A0_Q

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 TO-263AB
數量：
 3798  
說明：
 MOSFET N-Channel UltraFET
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FDB045AN08A0_Q-TO-263AB圖片

FDB045AN08A0_Q PDF參數資料

中文參數如下：

典型關閉延遲時間：40 ns
上升時間：88 ns
功率耗散：310 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：45 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263AB
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0039 Ohms at 10 V
漏極連續電流：80 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：75 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDB045AN08A0_Q的詳細信息，包括FDB045AN08A0_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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