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FDB3652_Q

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 TO-263
數(shù)量：
 3897  
說(shuō)明：
 MOSFET N-Channel PowerTrench
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FDB3652_Q-TO-263圖片

FDB3652_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：26 ns
上升時(shí)間：85 ns
功率耗散：150 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：45 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.014 Ohms at 10 V
漏極連續(xù)電流：61 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDB3652_Q的詳細(xì)信息，包括FDB3652_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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