中文參數如下:
典型關閉延遲時間:65 ns
工廠包裝數量:800
上升時間:480 ns
功率耗散:357 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:180 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:D2PAK
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.036 Ohms at 10 V
漏極連續電流:66 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:150 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor
以上是FDB66N15TM的詳細信息,包括FDB66N15TM廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!