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FDD86569-F085

廠家：: onsemi
封裝：: TO-252AA
數(shù)量：: 576
說明：: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK

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FDD86569-F085 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：150W（Tj）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2520 pF @ 30 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：52 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：5.7 毫歐 @ 80A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：90A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：60 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：Automotive, AEC-Q101, PowerTrench?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：onsemi

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