FDFMA3N109

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: 6-MicroFET（2x2）
數(shù)量：: 8181
說明：: MOSFET PowerTrench MOSFET and Schottky Diode

一、本商品被瀏覽0次.

FDFMA3N109 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關閉延遲時間：12 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：8 ns
功率耗散：1500 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：8 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：MicroFET-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：123 mOhms at 4.5 V
漏極連續(xù)電流：2.9 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDFMA3N109的詳細信息，包括FDFMA3N109廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：