三浦惠理子jux240久久 - 他在车里撞了我八次主角是谁

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > FDI040N06

FDI040N06

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: I2PAK（TO-262）
數量：: 513
說明：: MOSFET PT3 Low Qg 60V, 4.0Mohm

一、本商品被瀏覽0次.

FDI040N06 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：55 ns
工廠包裝數量：50
上升時間：40 ns
功率耗散：231 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：169 S
下降時間：24 ns
包裝形式：Tube
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：3.2 m Ohms at 10 V
漏極連續電流：168 A
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDI040N06的詳細信息，包括FDI040N06廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：